FCP165N65S3R0
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | FCP165N65S3R0 |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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800+ | $2.5652 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.9mA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220-3 |
Serie | SuperFET® III |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 9.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 154W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 400 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 19A (Tc) |
Grundproduktnummer | FCP165 |
FCP165N65S3R0 Einzelheiten PDF [English] | FCP165N65S3R0 PDF - EN.pdf |
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2024/05/17
2024/09/20
2024/04/11
2024/08/29
FCP165N65S3R0onsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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